1、PCB的走線按照布線規(guī)則來(lái)做即可。當(dāng)PCB有空間的時(shí)候可以放2個(gè)Y電容的位置：初級(jí)大電容的+到次級(jí)地；初級(jí)大電容-到次級(jí)地，整改輻射的時(shí)候可以調(diào)整。
2、對(duì)于2芯輸入的，Y電容除了上述接法還可以在L,N輸入端，保險(xiǎn)絲之后接成Y型，再接次級(jí)的地，3芯輸入時(shí)，Y電容可以從輸入輸出地接到輸入大地來(lái)測(cè)試。
3、磁珠在輻射中間很重要，以前用過(guò)的材料是K5A,K5C，磁珠的阻抗曲線與磁芯大小和尺寸有關(guān)。如圖所示，不同的磁珠對(duì)不同的頻率阻抗曲線不同。但是都是把高頻雜波損耗掉，成了熱量（30MHz-500MHz）。一般MOSFET,輸出二極管，RCD吸收的D，橋堆，Y電容都可以套磁珠來(lái)做測(cè)試。
4、輸入共模電感：如果是2級(jí)濾波，第一級(jí)的濾波電感可以考慮用0.5-5mH左右的感量，蝶形繞法，5K-10K材質(zhì)繞制，第一級(jí)對(duì)輻射壓制效果好。如果是3芯輸入，可以在輸入端進(jìn)線處用三層絕緣線在K5A等同材質(zhì)繞3-10圈，效果巨好。
5、輸出共模電感，一般采用高導(dǎo)磁芯5K-10K的材料，具體情況輻射搞不定也可以改為K5A等同材質(zhì)。
6、MOSFET，漏極上串入磁珠，輸入電阻加大，DS直接并聯(lián)22-220pF高壓瓷片電容可以改善輻射能量，也可以換不同電流值的MOS，或者不同品牌的MOSFET測(cè)試。
7、輸出二極管，二極管上套磁珠可以改善輻射能量。二極管上的RC吸收也對(duì)輻射有影響。也可以換不同電流值來(lái)測(cè)試，或者更換品牌
8、RCD吸收，C更改容量，R改阻值，D可以用FR107，F(xiàn)R207改為慢管，但是需要注意慢管的溫度。RCD里面的C可以串小阻值電阻。
9、VCC的繞組上也有二極管，這個(gè)二極管也對(duì)輻射影響大，一般采取套磁珠，或者將二極管改為1N4007或者其他的慢管。
10、最關(guān)鍵的變壓器。能少加屏蔽就少加屏蔽，沒(méi)辦法的情況也只能改變壓器了。變壓器里面的銅箔屏蔽對(duì)輻射影響大，線屏蔽是最有效果的。一般改不動(dòng)的時(shí)候才去改變壓器。
11、輻射整改時(shí)的效率。套滿磁珠的電源先做測(cè)試，PASS的情況，再逐個(gè)剪掉磁珠。fail的情況，在輸入輸出端來(lái)套磁環(huán)，判斷輻射信號(hào)是從輸入還是輸出發(fā)射出來(lái)的。套了磁環(huán)還是fail的話，證明輻射能量是從板子上出來(lái)的。這個(gè)時(shí)候要找實(shí)驗(yàn)室的兄弟搞個(gè)探頭來(lái)測(cè)試，看看是哪個(gè)元器件輻射的能量最大，哪個(gè)原件在超出限值的頻率點(diǎn)能量最高，再對(duì)對(duì)應(yīng)的元件整改。輻射的現(xiàn)象可以看成是功率器件在高速開(kāi)關(guān)情況下，寄生參數(shù)引起的振蕩在不同的天線上發(fā)射出去，被天線接收放大了顯示出來(lái)，避免振蕩信號(hào)出去就要避免高頻振蕩，改變振蕩頻率或者把高頻振蕩吸收掉，損耗掉，以至于顯示出來(lái)值的時(shí)候不超標(biāo)。磁珠的運(yùn)用有個(gè)需要注意的地方，套住MOSFET的時(shí)候，MOSFET最好是要打K腳，套入磁珠后點(diǎn)膠固定，如果磁珠松動(dòng)，可能導(dǎo)電引起MOSFET短路。有空間的情況下盡量采用帶線磁珠。
